LED芯片技術

　　LED芯片技術的發(fā)展關鍵在于基底材料和晶圓生長技術�；�底材料除了傳統(tǒng)的藍寶石材料,硅(Si),碳化硅(SiC)以外,氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當前研究的焦點。無論是要點照明和整體照明的大功率芯片,還是用于裝飾照明和一些簡單輔助照明的小功率芯片,技術提升的關鍵均圍繞如何研發(fā)出更率,更穩(wěn)定的芯片。因此,提高LED芯片的效率成為提升LED照明整體技術指標的關鍵。近些年,借助芯片結構,表面粗化,多量子阱結構設計等一系列技術的改進,LED在發(fā)光效率方面獲得重大打破。隨著該技術的不斷成熟,LED量子效率將會得到進一步的提高,未來LED芯片的發(fā)光效率也會隨之攀升。

　　封裝技術

　　在LED產(chǎn)業(yè)結構中,封裝和應用位于產(chǎn)業(yè)鏈中下游,完成將LED產(chǎn)品由芯片向管芯(Diode)及器件轉變并較終實現(xiàn)照明應用產(chǎn)品,是LED產(chǎn)品作為半導體照明光源真實進入市場并取代傳統(tǒng)照明光源的直接環(huán)節(jié)。LED封裝技術借鑒了分立器件封裝技術,并有很大的特殊性,即除了常規(guī)的電氣互連和機械性保護以確保管芯正常工作的同時,更強調(diào)光學,熱學方面的設計創(chuàng)新和技術要求。熱學,光學,電學方面的技術進步必然要求具有更優(yōu)良熱學性能,光學性能以及電學性能的高性能,新型封裝材料的出現(xiàn)。而作為具體的應用方案,也要求人們提出更好,更優(yōu),更具有創(chuàng)新精力的新的封裝格式�？梢哉fLED封裝技術的進步,必須綜合考慮相關領域材料特性,結構性能以及彼此影響,是材料學,電學,光學,熱學的交叉領域研究課題。

　　目前在封裝技術中用得較多的是單顆芯片封裝和多芯片整合組件封裝兩種形式,并有正面出光封裝,倒裝LED,垂直結構LED封裝等多種方案,三維封裝的思路和概念也被提出。

　　單顆芯片封裝是封裝技術中應用較多的,其主要的技術瓶頸在于芯片的良率,色溫的控制及熒光粉的涂敷技術等。多芯片整合組件是目前大功率LED組件較常見的另一種封裝形式,可區(qū)分為小功率和大功率芯片整合組件兩類,前者以六顆低功率芯片整合的1瓦大功率LED組件較典型,此類組件的優(yōu)勢在于成本較低,是目前不少大功率組件的主要制作途徑。大功率芯片通過優(yōu)化設計,可使較終產(chǎn)品的熱阻控制在每瓦3.1℃,同時可以驅動高達15瓦的高功率。該封裝的優(yōu)勢在于在很小的空間內(nèi)達到很高的光通量。

　　隨著LED芯片的功率密度越來越大,多芯片,大功率封裝需求會進一步增加。