可控硅檢測試分析 ** 華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構(gòu)

可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構(gòu)。具有CNAS和CMA認證資質(zhì),擁有多個設(shè)備NO.1,水平NO.1,專業(yè)人員,制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測實驗單位”,對外提供檢測測試和驗證等服務。

可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”主要業(yè)務包含功率器件參數(shù)檢測,半導體可靠性檢測,半導體環(huán)境老化試驗分析,應用級系統(tǒng)分析,半導體失效分析,車用分立器件可靠性測試認證,車用功率模塊可靠性測試認證,力學實驗,氣候環(huán)境實驗等領(lǐng)域,

可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

服務目錄

可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

一,失效分析測試·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：開短路檢測 4

(2) 檢測項目：漏電檢測 4

(3) 檢測項目：產(chǎn)品外觀或形貌確認 4

(4) 檢測項目：尺寸測量 4

(5) 檢測項目：超聲波檢測(SAT) 4

(6) 檢測項目：X-ray檢測 5

(7) 檢測項目：推拉力檢測 5

(8) 檢測項目：有害物質(zhì)檢測 5

(9) 檢測項目：剖面分析 5

(10) 檢測項目：樣品開封 5

二,電學檢測 ·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：直流參數(shù) 6

(2) 檢測項目：雪崩能量 6

(3) 檢測項目∶柵極電阻 6

(4) 檢測項目：開關(guān)時間（器件級） 6

(5) 檢測項目：開關(guān)時間（模塊級） 6

(6) 檢測項目：反向恢復（模塊級） 6

(7) 檢測項目：反向恢復（器件級） 6

(8) 檢測項目：柵極電荷（模塊級） 7

(9) 檢測項目：柵極電荷（器件級） 7

(10) 檢測項目：短路耐量能力（模塊級） 7

(11) 檢測項目：短路耐量能力（器件級） 7

(12) 檢測項目：結(jié)電容 7

(13) 檢測項目：熱阻性能（器件級） 7

(14) 檢測項目：熱阻性能（模塊級） 7

(15) 檢測項目：參數(shù)曲線掃描 8

(16) 檢測項目：ESD能力 8

(17) 檢測項目：正向浪涌能力 8

三,應用系統(tǒng)檢測 ·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：電氣參數(shù) 9

(2) 檢測項目：保護功能測試 9

(3) 檢測項目：元器件應力測試 9

(4) 檢測項目：電氣/抗電強度測試 9

(5) 檢測項目：絕緣電阻測試 10

(6) 檢測項目：接地電阻測試 10

(7) 檢測項目：低溫測試 10

(8) 檢測項目：高溫測試 10

(9) 檢測項目：高加速壽命/應力測試 10

(10) 檢測項目：靜電放電抗擾度測試 10

(11) 檢測項目：雷擊浪涌抗擾度測試 10

(12) 檢測項目：電源端子騷擾電壓/傳導測試 11

四,可靠性測試 ·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：功率循環(huán)齷 (PC) 12

(2) 檢測項目：高溫門極試驗(HTGB) 12

(3) 檢測項目：低溫工作壽命試驗(LTOL) 12

(4) 檢測項目：低溫儲存試驗(LTSL) 12

(5) 檢測項目：高低溫循環(huán)試驗(TC) 12

(6) 檢測項目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(SSOL) 12

(7) 檢測項目：無偏壓的高加速應力試驗(UHAST) 13

(8) 檢測項目：預處理試驗(Pre-con) 13

(9) 檢測項目：高溫反偏試驗(HTRB) 13

(10) 檢測項目：高溫工作壽命試驗(HTOL) 13

(11) 檢測項目：高溫儲存試驗(HTSL) 13

(12) 檢測項目：高溫高濕試驗(THB) 13

(13) 檢測項目：間歇壽命試驗(IOL)功率循試驗(PC) 13

(14) 檢測項目：高加速應力試驗(HAST) 14

(15) 檢測項目：高溫蒸煮試驗(PCT) 14

(16) 檢測項目：潮氣敏感度等級試驗(MSL) 14

(17) 檢測項目：可焊性試驗(Solderability) 14

一,失效分析測試·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：開短路檢測

• 覆蓋產(chǎn)品：IC
• 檢測能力：滿足128pin及以下引腳IC的open/short測試,曲線跟蹤分析,漏電流測試；Max電壓7V,電壓精度1mV,Max電流 500mA,電礪度 10nA；
• 執(zhí)行標準：客戶要求
• 覆蓋產(chǎn)品：IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
• 檢測能力：具有EMMI (微光)和TIVA (激光誘導)兩種偵測方 式；加電方式A：電壓20mV-200V,電流10nA-1A,電流精度 10fA；加電方式B：Max電壓3000V,Max電流5A。
• 執(zhí)行標準：客戶要求
• 覆蓋產(chǎn)品：IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
• 檢測能力：立體成像/Max45倍；金相成像/Max1000倍；數(shù)碼成像/Max6000倍；
• 執(zhí)行標準：客戶要求
• 覆蓋產(chǎn)品：IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
• 檢測能力：立體成像/Max45倍；金相成像/Max1000倍；數(shù)碼成像/Max6000倍；
• 執(zhí)行標準：客戶要求
• 覆蓋產(chǎn)品∶ IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
• 檢測能力∶具有分層面積百分比計算,缺陷尺寸標識,厚度與距離測量等功能�？蛇M行A-scan（點掃描）,B-scan（縱向掃描）, C-scan（橫向掃描）,Through-scan（透射掃描）。
• 執(zhí)行標準∶GuoJun標
• 覆蓋產(chǎn)品：IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
• 檢測能力：High分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計算,缺陷尺寸標識,厚度與距離測量等功能�？蛇M行二維掃描,三維CT掃描。
• 執(zhí)行標準：GuoJun標
• 覆蓋產(chǎn)品∶ IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
• 檢測能力∶支持WP100和WP2.5KG二款拉力測試頭,測試范圍0- 2.5Kg;支持BS250,BS5KG和DS100KG三款推力測試頭,測試范圍0-100Kg,推刀接受面寬0-8891um。
• 執(zhí)行標準∶ GuoJun標
• 覆蓋產(chǎn)品∶IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
• 檢測能力∶ 支持鉛（Pb）,鎘（Cd）,汞（Hg）,六價鉻（Cr6 ）,多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）,以及鹵素等其他化學元素的檢測。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/BrMini檢測限可達2ppm。
• 執(zhí)行標準∶ IEC
• 覆蓋產(chǎn)品：IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
• 檢測能力：金相樣品制備,樣品觀察,樣品染色。
• 執(zhí)行標準：客戶要求
• 覆蓋產(chǎn)品：IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
• 檢測能力：激光開封,化學開封,樣品剝層。
• 執(zhí)行標準：客戶要求

(2) 檢測項目：漏電檢測

(3) 檢測項目：產(chǎn)品外觀或形貌確認

(4) 檢測項目：尺寸測量

(5) 檢測項目：超聲波檢測(SAT)

(6) 檢測項目：X-ray檢測

(7) 檢測項目：推拉力檢測

(8) 檢測項目：有害物質(zhì)檢測

(9) 檢測項目：剖面分析

(10) 檢測項目：樣品開封

二,電學檢測·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：直流參數(shù)

• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET,IGBT,DIODE等模塊產(chǎn)品；
• 檢測能力：檢測Max電壓7500V檢測Max電流6000A
• 執(zhí)行標準：國標,IEC
• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET,IGBT,DIODE,第三代半導體器件等單管器件
• 檢測能力：檢測Max電壓2500V檢測Max電流200A
• 執(zhí)行標準：美軍標
• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET,IGBT及第三代半導體器件
• 檢測能力∶檢測阻抗∶0.1Ω～50Ω
• 執(zhí)行標準∶JEDEC
• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET,IGBT,DIODE及第三代半導體單管器件；
• 檢測能力：Max電壓1200V Max電流200A
• 執(zhí)行標準：美軍標,國標,IEC等
• 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
• 檢測能力：檢測Max電壓2700V檢測Max電流4000A
• 執(zhí)行標準：國標,IEC
• 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
• 檢測能力：檢測Max電壓2700V檢測Max電流4000A
• 執(zhí)行標準：國標,IEC
• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET,IGBT,DIODE及第三代半導體器件等單管器件
• 檢測能力：Max電壓1200V Max電流200A
• 執(zhí)行標準：美軍標,國標,IEC等
• 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
• 檢測能力：檢測Max電壓2700V檢測Max電流4000A
• 執(zhí)行標準：國標,IEC
• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET,IGBT,DIODE及第三代半導體器件等單管器件
• 檢測能力：Max電壓1200V Max電流200A
• 執(zhí)行標準：美軍標,國標,IEC等
• 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
• 檢測能力：檢測Max電壓2700V,檢測Max電流10000A
• 執(zhí)行標準：國標,IEC
• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET,IGBT,DIODE及第三代半導體器件等單管器件
• 檢測能力：檢測Max電壓1200V,檢測Max電流1000A；
• 執(zhí)行標準：美軍標,國標,IEC等
• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET,IGBT及第三代半導體單管器件
• 檢測能力：檢測Max電壓3000V
• 執(zhí)行標準：IEC
• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET,IGBT,DIODE,BJT,SCR,第三代半導體單管器件
• 檢測能力：功率250W
• 執(zhí)行標準：美軍標,JEDEC
• 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品
• 檢測能力：Max功率4000W
• 執(zhí)行標準：美軍標,JEDEC
• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET,IGBT,DIODE,BJT,SCR,第三代半導體器件等單管器件的l-V,C-V曲線
• 檢測能力：檢測Max電壓3000V檢測Max電流1500A溫度-70°C~180°C
• 執(zhí)行標準：美軍標,IEC等
• 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET,IGBT,IC等產(chǎn)品
• 檢測能力：HBMMax電壓8000V；MMMax電壓800V
• 執(zhí)行標準：美軍標,ANSI,JEDEC等
• 覆蓋產(chǎn)品：DIODE (Si/SiC),整流橋；
• 檢測能力：Max電流800A
• 執(zhí)行標準：美軍標,國標

(2) 檢測項目：雪崩能量

(3) 檢測項目∶柵極電阻

(4) 檢測項目：開關(guān)時間（器件級）

(5) 檢測項目：開關(guān)時間（模塊級）

(6) 檢測項目：反向恢復（模塊級）

(7) 檢測項目：反向恢復（器件級）

(8) 檢測項目：柵極電荷（模塊級）

(9) 檢測項目：柵極電荷（器件級）

(10) 檢測項目：短路耐量能力（模塊級）

(11) 檢測項目：短路耐量能力（器件級）

(12) 檢測項目：結(jié)電容

(13) 檢測項目：熱阻性能（器件級）

(14) 檢測項目：熱阻性能（模塊級）

(15) 檢測項目：參數(shù)曲線掃描

(16) 檢測項目：ESD能力

(17) 檢測項目：正向浪涌能力

三,應用系統(tǒng)檢測·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：電氣參數(shù)

• 覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等),電機控制板。
• 檢測能力：低壓AC/DC電源：單相Max輸入電壓/功率為 300V/3KVA；Max輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電 源：Max輸入電壓/功率為80V/1.2KW；Max輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相Max輸入電壓/功率為 500V/30KVA；Max輸出電壓/功率：700V/30KW；電機控制板： 直流輸入電壓/功率100V/5KW
• 執(zhí)行標準：國標,IEC,客戶要求等

(2) 檢測項目：保護功能測試

• 覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等),電機控制板。
• 檢測能力：低壓AC/DC電源：單相Max輸入電壓/功率為 300V/3KVA；Max輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電 源：Max輸入電壓/功率為80V/1.2KW；Max輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相Max輸入電壓/功率為 500V/30KVA；Max輸出電壓/功率：700V/30KW；電機控制板： 直流輸入電壓/功率100V/5KW
• 執(zhí)行標準：國標,IEC,客戶要求等
• 覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等),電機控制板,鋰電保護板。
• 檢測能力：Max峰值電壓：1.5KV；Max有效值/峰值電流：30A/50A；High溫度：260°C
• 執(zhí)行標準：元器件規(guī)格,客戶要求等
• 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
• 檢測能力：交流耐壓范圍：(0~5)KV/40mA；直流耐壓范圍：(0~6)KV/9999uA
• 執(zhí)行標準：國標,IEC,客戶要求等
• 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
• 檢測能力：(100~1K)Vdc/9999mΩ
• 執(zhí)行標準：國標,IEC,客戶要求等
• 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
• 檢測能力：30A/600mΩ
• 執(zhí)行標準：國標,IEC,客戶要求等
• 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
• 檢測能力：Mini溫度：-70℃
• 執(zhí)行標準：國標,IEC,客戶要求等
• 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
• 檢測能力：High溫度：~180℃
• 執(zhí)行標準：國標,IEC,客戶要求等
• 覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品
• 檢測能力∶溫度范圍∶（-100～ 200）℃℃;溫度上升速率∶平均（70°～100°）C/m; 加速∶（5-60）gRMS （空臺）
• 執(zhí)行標準∶國標,IEC,客戶要求等
• 覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品
• 檢測能力∶接觸靜電放電電壓范圍∶（±2～±8）KV空氣靜電放電電壓范圍∶（±2～±25）KV
• 執(zhí)行標準∶國標,IEC,客戶要求等
• 覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品
• 檢測能力∶1.2/50us綜合波的開路電壓范圍∶（0.25～10）KV; 10/700us通訊波的開路電壓范圍∶（0～6）KV;輸出阻抗∶ 1.2/50us綜合波2Ω,12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω
• 執(zhí)行標準∶國標,IEC,客戶要求等；
• 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品
• 檢測能力：9KHz~ 30MHz
• 執(zhí)行標準：國標,IEC,客戶要求等

(3) 檢測項目：元器件應力測試

(4) 檢測項目：電氣/抗電強度測試

(5) 檢測項目：絕緣電阻測試

(6) 檢測項目：接地電阻測試

(7) 檢測項目：低溫測試

(8) 檢測項目：高溫測試

(9) 檢測項目：高加速壽命/應力測試

(10) 檢測項目：靜電放電抗擾度測試

(11) 檢測項目：雷擊浪涌抗擾度測試

(12) 檢測項目：電源端子騷擾電壓/傳導測試

四,可靠性測試·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：功率循環(huán)齷 (PC)

• 覆蓋產(chǎn)品∶IGBT模塊
• 檢測能力∶△Tj=100℃電壓電流Max1800A,12V
• 執(zhí)行標準∶ IEC 客戶自定義
• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET,SiC MOS等單管器件
• 檢測能力∶溫度High150℃;電壓High2000V
• 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET,IGBT,DIODE,BJT,SCR,IC,第三代半導體器件等單管器件
• 檢測能力∶溫度Mini-80℃ 電壓High2000V
• 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
• 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET,IGBT,DIODE,BJT,SCR,IC,IGBT模塊,第三代半導體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
• 檢測能力∶溫度Mini-80℃
• 執(zhí)行標準∶ 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET,IGBT,IDIODE,BJT,SCR,IC,IGBT模塊,第三代半導體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
• 檢測能力∶溫度范圍∶-80℃~220℃
• 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET,DIODE,BJT,IGBT及第三代半導體器件等單管器件
• 檢測能力∶△Tj≥100℃,電壓電流Max48V,10A
• 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET,DIODE,BJT,IGBT及第三代半導體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
• 檢測能力∶溫度130℃ 濕度85%
• 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
• 覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件
• 檢測能力∶設(shè)備滿足各個等級的試驗要求
• 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET,IGBT,DIODE,BJT,SCR,第三代半導體器件等單管器件
• 檢測能力∶溫度High150℃; 電壓High2000V
• 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET,IGBT,DIODE,BJT,SCR,IC,第三代半導體器件等單管器件
• 檢測能力∶溫度High150℃,電壓High2000V
• 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
• 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET,IGBT,DIODE,BJT,SCR,IC,IGBT模塊,第三代半導體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
• 檢測能力∶溫度High150℃;
• 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET,IGBT,DIODE,BJT,SCR,IC,IGBT模塊,第三代半導體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
• 檢測能力∶溫度High180℃ 濕度范圍∶10%~98%
• 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
• 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET,DIODE,BJT,IGBT及第三代半導體器件等單管器件
• 檢測能力∶△Tj≥100℃ 電壓電流Max48V,10A
• 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
• 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET,DIODE,BJT,IGBT及第三代半導體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
• 檢測能力∶ 溫度130℃/110℃ 濕度85%
• 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
• 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET,DIODE,BJT,IGBT及第三代半導體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
• 檢測能力∶溫度121℃ 濕度1
• 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
• 覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件
• 檢測能力∶設(shè)備滿足各個等級的試驗要求
• 執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
• 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET,IGBT,DIODE,BJT,SCR,IC,第三代半導體器件等單管器件
• 檢測能力∶有鉛,無鉛均可進行

(2) 檢測項目：高溫門極試驗(HTGB)

(3) 檢測項目：低溫工作壽命試驗(LTOL)

(4) 檢測項目：低溫儲存試驗(LTSL)

(5) 檢測項目：高低溫循環(huán)試驗(TC)

(6) 檢測項目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(SSOL)

(7) 檢測項目：無偏壓的高加速應力試驗(UHAST)

(8) 檢測項目：預處理試驗(Pre-con)

(9) 檢測項目：高溫反偏試驗(HTRB)

(10) 檢測項目：高溫工作壽命試驗(HTOL)

(11) 檢測項目：高溫儲存試驗(HTSL)

(12) 檢測項目：高溫高濕試驗(THB)

(13) 檢測項目：間歇壽命試驗(IOL)功率循試驗(PC)

(14) 檢測項目：高加速應力試驗(HAST)

(15) 檢測項目：高溫蒸煮試驗(PCT)

(16) 檢測項目：潮氣敏感度等級試驗(MSL)

(17) 檢測項目：可焊性試驗(Solderability)

執(zhí)行標準∶美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

五,其它測試·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構(gòu)。具有CNAS和CMA認證資質(zhì),擁有多個設(shè)備NO.1,水平NO.1,專業(yè)人員,制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測實驗單位”,對外提供檢測測試和驗證等服務。

可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”主要業(yè)務包含功率器件參數(shù)檢測,半導體可靠性檢測,半導體環(huán)境老化試驗分析,應用級系統(tǒng)分析,半導體失效分析,車用分立器件可靠性測試認證,車用功率模塊可靠性測試認證,力學實驗,氣候環(huán)境實驗等領(lǐng)域,